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TPB80R300C	文件：1.20966 Mbytes Page：16 Pages	丝印：80R300C；Package：TO-263；800V Super-junction Power MOSFET Description 800V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs，designed accordingtotheSJprinciple. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses devicewithhighest robustness 文件：1.20966 Mbytes 页数：16 Pages	WUMC 紫光国微	WUMC
TPB90R350A	文件：872.72 Kbytes Page：12 Pages	丝印：90R350A；Package：TO-263；900V Super-junction Power MOSFET Description 900V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs，designed accordingtotheSJprinciple. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses devicewithhighest robustness 文件：872.72 Kbytes 页数：12 Pages	WUMC 紫光国微	WUMC
TPB90R350A	文件：872.73 Kbytes Page：12 Pages	丝印：90R350A；Package：TO-263；900V Super-junction Power MOSFET Description 900V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs，designed accordingtotheSJprinciple. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses devicewithhighest robustness 文件：872.73 Kbytes 页数：12 Pages	WUMC 紫光国微	WUMC
TPB90R350A	文件：872.72 Kbytes Page：12 Pages	丝印：90R350A；Package：TO-263；900V Super-junction Power MOSFET Description 900V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs，designed accordingtotheSJprinciple. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses devicewithhighest robustness 文件：872.72 Kbytes 页数：12 Pages	WUMC 紫光国微	WUMC
TPBAS16	文件：1.84914 Mbytes Page：3 Pages	High-speed switching diode Features » For surface mounted applications Low capacitance Low leakage current « RoHs Product » Compact package: SOT-23 文件：1.84914 Mbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
TPBAS16W	文件：1.84392 Mbytes Page：3 Pages	High-speed switching diode Features » For surface mounted applications Low capacitance Low leakage current « RoHs Product » Compact package: SOT-323 文件：1.84392 Mbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
TPBAS16WS	文件：1.88326 Mbytes Page：3 Pages	High-speed switching diode Features \| o For surface mounted applications o Low capacitance « Low leakage current « RoHs Product \| « Compact package: SOD-323 \| 文件：1.88326 Mbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
TPBAS21SS3	文件：860.97 Kbytes Page：3 Pages	Switching Diode Features Fast sviching speed High conductance 文件：860.97 Kbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
TPBC846S	文件：1.98813 Mbytes Page：6 Pages	NPNNPN Plastic-Encapsulate Transistors Features High current gain Excellent hre linearity Low noise 文件：1.98813 Mbytes 页数：6 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
TPBC847BS	文件：1.29827 Mbytes Page：4 Pages	NPN Small Signal Surface Mount Transistor Features © Epitaxial die construction ® Ultra-small surface mount package 文件：1.29827 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC

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产品属性

产品编号：
TPB
制造商：
Greenlee Communications
类别：
测试与计量 > 测试引线 - 热电偶，温度探头
包装：
散装
类型：
K 型热电偶
应用：
空气，气体，表面
尖头 - 类型：
气温测试，珠状
插头类型：
双香蕉插头
探头温度范围：
-40 ~ 399°F（-40 ~ 204°C）
插头颜色：
黄色
探头长度：
39.370"（1000.00mm）
描述：
THERM PROBE-BEAD TYPE K

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