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TP0610L	文件：62.88 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES •High-SideSwitching •LowOn-Resistance:8 •LowThreshold:−1.9V •FastSwitchingSpeed:16ns •LowInputCapacitance:15pF BENEFITS •EaseinDrivingSwitches •LowOffset(Error)Voltage •Low-VoltageOperation •High-SpeedSwitching •EasilyDrivenWithoutBuffer AP	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TP0610L	文件：75.94 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Description:P-Channel,60V(D-S)MOSFET Package:SOT-23 PinOut:Identical	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TP0610T	文件：75.94 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET Description:P-Channel,60V(D-S)MOSFET Package:SOT-23 PinOut:Identical	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TP0610T	文件：656.7 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeVerticalDMOSFETs GeneralDescription Thislowthresholdenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinpu	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
TP0610T	文件：453.95 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs GeneralDescription Thislowthresholdenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinpu	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
TP0610T	文件：62.88 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •High-SideSwitching •LowOn-Resistance:8 •LowThreshold:−1.9V •FastSwitchingSpeed:16ns •LowInputCapacitance:15pF BENEFITS •EaseinDrivingSwitches •LowOffset(Error)Voltage •Low-VoltageOperation •High-SpeedSwitching •EasilyDrivenWithoutBuffer AP	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TP0610T	文件：1.52693 Mbytes Page：14 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
TP0610TG	文件：1.52693 Mbytes Page：14 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
TP0610T-G	文件：656.7 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeVerticalDMOSFETs GeneralDescription Thislowthresholdenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinpu	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
TZ0610A	文件：217.3 Kbytes Page：5 Pages	SMD5.0x3.218MHzCrystalUnit Features: SurfaceMountSeamWeldPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature DescriptionandApplications: Surfacemount5.0mmx3.2mmcrystalunitforuseinwirelesstelecommunicationsdevices, especiallyforaneedofultraminiatu	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW

详细参数

型号：
TP0610L
功能描述：
MOSFET 60V 0.18A 0.8W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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