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TP0202K-T1-E3	文件：62.31 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：62.31 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
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TP0202K-T1-E3	文件：215.91 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：215.91 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
TP0202K-T1-GE3	文件：1.78141 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.78141 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TP0202K-T1-GE3	文件：215.91 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：215.91 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
TP0202K-T1-GE3	文件：202.31 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：202.31 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
TP0205A	文件：34.08 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold 文件：34.08 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
TP0205AD	文件：34.08 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold 文件：34.08 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
TP025F103Z-A-BJ	文件：139.01 Kbytes Page：1 Pages	Axial Leaded Ceramic Capacitors 文件：139.01 Kbytes 页数：1 Pages	TAIYO-YUDEN 太阳诱电	TAIYO-YUDEN
TP025F223Z-A-BJ	文件：139.15 Kbytes Page：1 Pages	Axial Leaded Ceramic Capacitors 文件：139.15 Kbytes 页数：1 Pages	TAIYO-YUDEN 太阳诱电	TAIYO-YUDEN

详细参数

型号：
TP02
功能描述：
MOSFET 20V 0.41A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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