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TN0604	文件：44.21 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Features ❏ Low threshold — 1.6V max. ❏ High input impedance ❏ Low input capacitance — 140pF typical ❏ Fast switching speeds ❏ Low on resistance ❏ Free from secondary breakdown ❏ Low input and output leakage ❏ Complementary N- and P-channel devices Applications ❏ Log 文件：44.21 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0604	文件：732.24 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：732.24 Kbytes 页数：6 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0604	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET, N-Channel Enhancement-Mode, 40V, 0.75 Ohm This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature Low threshold (1.6V max.) \nHigh input impedance \nLow input capacitance (140pF typical) \nFast switching speeds \nLow on-resistance \nFree from secondary breakdown \nLow input and output leakage;	Microchip 微芯科技	Microchip
TN0604N3	文件：44.21 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Features ❏ Low threshold — 1.6V max. ❏ High input impedance ❏ Low input capacitance — 140pF typical ❏ Fast switching speeds ❏ Low on resistance ❏ Free from secondary breakdown ❏ Low input and output leakage ❏ Complementary N- and P-channel devices Applications ❏ Log 文件：44.21 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0604WG	文件：44.21 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Features ❏ Low threshold — 1.6V max. ❏ High input impedance ❏ Low input capacitance — 140pF typical ❏ Fast switching speeds ❏ Low on resistance ❏ Free from secondary breakdown ❏ Low input and output leakage ❏ Complementary N- and P-channel devices Applications ❏ Log 文件：44.21 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0604_07	文件：732.24 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：732.24 Kbytes 页数：6 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0604_13	文件：647.84 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：647.84 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0604N3	文件：33.28 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs 文件：33.28 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0604N3-G	文件：732.24 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：732.24 Kbytes 页数：6 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0604N3-G	文件：647.84 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：647.84 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX

技术参数

BVdss min (V)：
40
Rds (on) max (Ohms)：
0.75
CISSmax (pF)：
190
Vgs(th) max (V)：
1.6
Packages：
3\\TO-92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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