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TN0110N3	文件：66.57 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE D-MOS POWER FETs [TOPAZ SEMICONDUCTOR] N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE D-MOS POWER FETs 文件：66.57 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
TN0110N3	文件：27.58 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Features ■ Low threshold — 2.0V max. ■ High input impedance ■ Low input capacitance — 50pF typical ■ Fast switching speeds ■ Low on resistance ■ Free from secondary breakdown ■ Low input and output leakage ■ Complementary N- and P-channel devices 文件：27.58 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0110N3-G	文件：635.8 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：635.8 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0110N3-GP002	文件：635.8 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：635.8 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0110N3-GP003	文件：635.8 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：635.8 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0110N3-GP005	文件：635.8 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：635.8 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0110N3-GP013	文件：635.8 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：635.8 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0110N3-GP014	文件：635.8 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：635.8 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX

详细参数

型号：
TN0110N3
功能描述：
MOSFET 100V 3Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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