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TMW20N65H

场效应管(MOSFET)

紫光国微

TRS20N65D

SiC Schottky Barrier Diode

文件:163.99 Kbytes 页数:5 Pages

TOSHIBA

东芝

TRS20N65FB

SiC Schottky Barrier Diode

文件:308.21 Kbytes 页数:6 Pages

TOSHIBA

东芝

UTG20N65-S

650V TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT

 DESCRIPTION The UTC UTG20N65-S is an Trench Field-Stop Insulated Gate Bipolar Transistor. it uses UTC’s advanced technology to provide customers with high switching speed, low saturation voltage and low switching loss, etc. The UTC UTG20N65-S is suitable for the resonant or soft switching

文件:211.49 Kbytes 页数:5 Pages

UTC

友顺

技术参数

  • 漏源电压(Vdss):

    650V

  • 连续漏极电流(Id):

    20A

  • 功率(Pd):

    120W

  • 阈值电压(Vgs(th)@Id):

    4V@250uA

  • 栅极电荷(Qg@Vgs):

    80nC@10V

  • 输入电容(Ciss@Vds):

    2.701nF@25V

  • 反向传输电容(Crss@Vds):

    24.8pF@25V

  • 工作温度:

    -55℃~+150℃@(Tj)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
无锡紫光微
2447
TO-247
105000
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更多TMW20N65H供应商 更新时间2025-12-10 15:01:00