TMW20N65H中文资料场效应管(MOSFET)数据手册规格书
技术参数
- 制造商编号
：TMW20N65H
- 漏源电压(Vdss)
：650V
- 连续漏极电流(Id)
：20A
- 功率(Pd)
：120W
- 阈值电压(Vgs(th)@Id)
：4V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs)
：80nC@10V
- 输入电容(Ciss@Vds)
：2.701nF@25V
- 反向传输电容(Crss@Vds)
：24.8pF@25V
- 工作温度
：-55℃~+150℃@(Tj)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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