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EP7309-IR-C	文件：1.89369 Mbytes Page：46 Pages	HIGHPERFORMANCELOWPOWERSYSTEMONCHIPENHANCEDDIGITALAUDIOINTERFACE OVERVIEW TheMaverick™EP7309isdesignedforultra-low-powerapplicationssuchasdigitalmusicplayers,internetappliances,smartcellularphonesoranyhand-helddevicethatfeaturestheaddedcapabilityofdigitalaudiodecompression.Thecore-logicfunctionalityofthedeviceisbuiltaroun	CIRRUSCirrus Logic 凌云逻辑	CIRRUS
EP7309-IV-C	文件：1.89369 Mbytes Page：46 Pages	HIGHPERFORMANCELOWPOWERSYSTEMONCHIPENHANCEDDIGITALAUDIOINTERFACE OVERVIEW TheMaverick™EP7309isdesignedforultra-low-powerapplicationssuchasdigitalmusicplayers,internetappliances,smartcellularphonesoranyhand-helddevicethatfeaturestheaddedcapabilityofdigitalaudiodecompression.Thecore-logicfunctionalityofthedeviceisbuiltaroun	CIRRUSCirrus Logic 凌云逻辑	CIRRUS
IRF7309	文件：2.10532 Mbytes Page：11 Pages	GENERATIONVTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF7309	文件：162.21 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignforwhichHEXFETPowerMOSFETsarewellknown	IRF International Rectifier	IRF
IRF7309	文件：2.30446 Mbytes Page：11 Pages	DualNPChannelMOSFET Industry-standardpinoutSO-8Package CompatiblewithExistingSurfaceMountTechniques VDS(V)=30V RDS(ON)70m(VGS=2.7V) RDS(ON)50m(VGS=4.5V) VDS(V)=-30V RDS(ON)100m(VGS=4.5V) RDS(ON)140m(VGS=2.7V) Features N-Ch: P-Ch:	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRF7309	文件：2.3004 Mbytes Page：11 Pages	DualNPChannelMOSFET Features N-Ch: VDS(V)=30V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF7309IPBF	文件：1.80378 Mbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF7309PBF	文件：2.065389 Mbytes Page：11 Pages	GENERATIONVTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF7309PBF	文件：2.09404 Mbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignforwhichHEXFETPowerMOSFETsarewellknown	IRF International Rectifier	IRF
IRF7309QPBF	文件：1.97438 Mbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

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