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TMU2N60H

VD MOS

紫光国微

TSD2N60M

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.77771 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

TSD2N60M

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.08793 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

TSD2N60MZ

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.08795 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

技术参数

  • ID(A):

    2

  • RDS(on)-typ(Ω):

    3.5

  • RDS(on)-max(Ω):

    4.2

  • V(GS)th-min(V):

    3

  • V(GS)th-max(V):

    4

  • Ciss(pF):

    310

  • Qg(nC):

    8

  • Package:

    TO-251

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多TMU2N60H供应商 更新时间2025-10-27 12:19:00