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TMU2N60AZ

MOSFET

TRinno

TSD2N60M

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.77771 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

TSD2N60M

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.08793 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

TSD2N60MZ

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.08795 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

技术参数

  • Polanity:

    N

  • VDSS[V]:

    600

  • Id@25℃[A]:

    2.0

  • RDS(on)Max@25℃[Ω]:

    4.00

  • Package:

    TO-251(IPAK)

  • Feature:

    Built-in GS Zener Diode

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更多TMU2N60A供应商 更新时间2025-12-10 17:21:00