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EN29F002A	文件：431.89 Kbytes Page：35 Pages	2Megabit(256Kx8-bit)FlashMemory GENERALDESCRIPTION TheEN29F002A/EN29F002ANisa2-Megabit,electricallyerasable,read/writenon-volatileflashmemory.Organizedinto256Kwordswith8bitsperword,the2Mofmemoryisarrangedinsevensectors(withtop/bottomconfiguration),includingone16KByteBootSector,two8KByt	EONEon Silicon Solution Inc. 宜扬科技宜扬科技股份有限公司	EON
EN29F002AN	文件：431.89 Kbytes Page：35 Pages	2Megabit(256Kx8-bit)FlashMemory GENERALDESCRIPTION TheEN29F002A/EN29F002ANisa2-Megabit,electricallyerasable,read/writenon-volatileflashmemory.Organizedinto256Kwordswith8bitsperword,the2Mofmemoryisarrangedinsevensectors(withtop/bottomconfiguration),includingone16KByteBootSector,two8KByt	EONEon Silicon Solution Inc. 宜扬科技宜扬科技股份有限公司	EON
EN29F002N	文件：267.13 Kbytes Page：32 Pages	2Megabit(256Kx8-bit)FlashMemory	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
HY29F002T	文件：381.99 Kbytes Page：38 Pages	2Megabit(256Kx8),5Volt-only,FlashMemory	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半导体	Hynix
M29F002	文件：461.15 Kbytes Page：46 Pages	2M(256KX8)BIT ■GENERALDESCRIPTION TheMBM29F002TC/BCisa2M-bit,5.0V-OnlyFlashmemoryorganizedas256Kbytesof8bitseach.TheMBM29F002TC/BCisofferedina32-pinTSOP(I)and32-pinPLCCpackages.Thisdeviceisdesignedtobeprogrammedin-systemwiththestandardsystem5.0VVCCsupply.A12.0	FujitsuFujitsu Component Limited. 富士通富士通株式会社	Fujitsu
M29F002	文件：436.41 Kbytes Page：37 Pages	2Megabit(256Kx8-Bit)CMOS5.0Volt-onlyBootSectorFlashMemory GENERALDESCRIPTION TheAm29F002Familyconsistsof2Mbit,5.0volt-onlyFlashmemorydevicesorganizedas262,144bytes.TheAm29F002offerstheRESET#function,theAm29F002Ndoesnot.ThedataappearsonDQ7–DQ0.Thedeviceisofferedin32-pinPLCC,32-pinTSOP,and32-pinPDIPpackages.Th	AMDAdvanced Micro Devices 超威半导体美国超威半导体公司	AMD
M29F002	文件：196.28 Kbytes Page：29 Pages	2Mbit256Kbx8,BootBlockSingleSupplyFlashMemory DESCRIPTION TheM29F002isanon-volatilememorythatmaybeerasedelectricallyattheblockorchiplevelandprogrammedin-systemonaByte-by-Bytebasisusingonlyasingle5VVCCsupply.ForProgramandEraseoperationsthenecessaryhighvoltagesaregeneratedinternally.Thedevicecanalsob	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
M29F002B	文件：196.28 Kbytes Page：29 Pages	2Mbit256Kbx8,BootBlockSingleSupplyFlashMemory DESCRIPTION TheM29F002isanon-volatilememorythatmaybeerasedelectricallyattheblockorchiplevelandprogrammedin-systemonaByte-by-Bytebasisusingonlyasingle5VVCCsupply.ForProgramandEraseoperationsthenecessaryhighvoltagesaregeneratedinternally.Thedevicecanalsob	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
M29F002BB	文件：189.24 Kbytes Page：22 Pages	2Mbit256Kbx8,BootBlockSingleSupplyFlashMemory SUMMARYDESCRIPTION TheM29F002Bisa2Mbit(256Kbx8)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasingle5Vsupply.Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesamewayasaROMorEPROM.TheM29F002B	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
M29F002BNT	文件：189.24 Kbytes Page：22 Pages	2Mbit256Kbx8,BootBlockSingleSupplyFlashMemory SUMMARYDESCRIPTION TheM29F002Bisa2Mbit(256Kbx8)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasingle5Vsupply.Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesamewayasaROMorEPROM.TheM29F002B	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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