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TMR2104数据手册MDT中文资料规格书

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厂商型号

TMR2104

功能描述

大动态范围TMR线性传感器

制造商

MDT MDT technology

中文名称

多维

数据手册

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更新时间

2025-8-16 15:58:00

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TMR2104规格书详情

描述 Description

TMR2104采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2104性能优越,采用SOP8(6mm × 5mm × 1.5mm)、DFN8L(3mm × 3mm × 0.75mm)封装形式。

特性 Features

(1)隧道磁电阻(TMR)技术
(2)高灵敏度
(3)宽动态范围
(4)低功耗
(5)优越的温度稳定性

应用 Application

(1)磁力计
(2)电流传感器
(3)角度传感器
(4)位置传感器

技术参数

  • 制造商编号

    :TMR2104

  • 生产厂家

    :MDT

  • 磁阻结构:

    :全桥

  • 供电电压:

    :0~7 V

  • 敏度(mV/V/Oe):

    :3.1

  • 电阻(kΩ):

    :30

  • 饱和场(Oe):

    :±150

  • 敏感方向:

    :X轴

  • 磁滞(Oe):

    :0.5

  • 本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):

    :~10

  • 封装形式:

    :SOP8DFN8L(3×3×0.75)

  • 交付周期:

    :In stock

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