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WFD2N60	文件：715.59 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET 600VN-ChannelMOSFET Features □LowIntrinsicCapacitances □ExcellentSwitchingCharacteristics □ExtendedSafeOperatingArea □UnrivalledGateCharge:8.5nC(Typ.) □BVDSS=600V,ID=2A □LowerRDS(on):5Ω(Max)@VG=10V □100AvalancheTested	WISDOM Wisdom technologies Int`l	WISDOM
WFD2N60	文件：518.6 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WFD2N60	文件：1.08793 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
WFD2N60B	文件：297.58 Kbytes Page：8 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WFD2N60B	文件：557.05 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WFD2N60B	文件：1.13502 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
WFF2N60	文件：714.75 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET Features □LowIntrinsicCapacitances □ExcellentSwitchingCharacteristics □ExtendedSafeOperatingArea □UnrivalledGateCharge:Qg=8.5nC(Typ.) □BVDSS=600V,ID=2A □RDS(on):5Ω(Max)@VG=10V □100AvalancheTested	WISDOM Wisdom technologies Int`l	WISDOM
WFF2N60	文件：1.55693 Mbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelMOSFET	WISDOM Wisdom technologies Int`l	WISDOM
WFF2N60	文件：396.2 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET GeneralDescription ThisPowerMOSFETisproducedusingWinsemi’sadvancedplanarstripe,VDMOStechnology.Thislatesttechnologyhasbeenespeciallydesignedtominimizeon-stateresistance,haveahighruggedavalanchecharacteristics.Thisdevicesisspeciallywellsuitedforhighefficien	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WFF2N60B	文件：583.59 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi

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