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CJP12N60	文件：681.96 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJP12N60	文件：389.28 Kbytes Page：2 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJPF12N60	文件：681.96 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CS12N60F	文件：274.36 Kbytes Page：10 Pages	SiliconN-ChannelPowerMOSFET Features： -FastSwitching -LowONResistance(Rdson≤0.75Ω) -LowGateCharge(TypicalData:40nC) -LowReversetransfercapacitances(Typical:10pF) -100SinglePulseavalancheenergyTest	HUAJING-MICROHUAJING MICROELECTRONICS 华润微电子华润微电子有限公司	HUAJING-MICRO
DG12N60	文件：827.1 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET GeneralDescription DG12N60isanN-channelenhancementmodeMOSFET,whichisproducedusingDongguangMicro-electronics’s proprietary.Theself-alignedplanarprocessandimprovedterminaltechnologyreducetheconductionloss,improve switchingperformanceandenhancetheavalancheenergy.Th	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
E12N60	文件：897.58 Kbytes Page：11 Pages	12A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司	WXDH
E12N60	文件：898.09 Kbytes Page：11 Pages	12A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司	WXDH
E12N60	文件：898.24 Kbytes Page：11 Pages	12A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司	WXDH
E12N60	文件：897.54 Kbytes Page：11 Pages	12A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司	WXDH
EMD12N60F	文件：169.56 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS600V RDSON(MAX.)0.75Ω ID12A UIS,100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE

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