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NTD6415ANL	文件：265.45 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET100V,23A,56m廓,LogicLevel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD6415ANL	文件：127.16 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET100V,23A,56mLogicLevel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD6415ANL	文件：78.19 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD6415ANL	文件：299.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=52mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTE6415	文件：17.89 Kbytes Page：2 Pages	BidirectionalThyristorDiodes(SIDAC) Description: TheNTE6415throughNTE6419SIDACdevicesaresiliconbilateralvoltagetriggeredswitcheswithgreaterpowerhandlingcapabilitiesthanstandardDIACs.UponapplicationofavoltageexceedingtheSIDACbreakovervoltagepoint,theSIDACswitchesonthroughanegativeresistancere	NTE NTE Electronics	NTE
NVD6415AN	文件：238.28 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET–Power,N-Channel100V,23A,55m Features •LowRDS(on) •HighCurrentCapability •100AvalancheTested •NVDPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD6415AN	文件：260.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=55mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NVD6415ANL	文件：127.16 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET100V,23A,56mLogicLevel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PJS6415	文件：297.09 Kbytes Page：6 Pages	20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJS6415	文件：367.05 Kbytes Page：6 Pages	20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@-4.5V,ID@-5.2A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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详细参数

型号：
TMDXNVK6415-T
功能描述：
开发板和工具包 - TMS320 Network and Vid 1 GHz Dev Kit
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
产品：
Experimenter Kits
工具用于评估：
F2802x
核心：
TMS320
接口类型：
UART, USB

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