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UM821SCE	文件：414.89 Kbytes Page：17 Pages	ResetCircuitswithLongManualResetSetupPeriod	UNIONSEMIUnion Semiconductor, Inc. 英联英联半导体股份有限公司	UNIONSEMI
UM821TAE	文件：414.89 Kbytes Page：17 Pages	ResetCircuitswithLongManualResetSetupPeriod	UNIONSEMIUnion Semiconductor, Inc. 英联英联半导体股份有限公司	UNIONSEMI
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UM821ZAE	文件：414.89 Kbytes Page：17 Pages	ResetCircuitswithLongManualResetSetupPeriod	UNIONSEMIUnion Semiconductor, Inc. 英联英联半导体股份有限公司	UNIONSEMI
UM821ZBE	文件：414.89 Kbytes Page：17 Pages	ResetCircuitswithLongManualResetSetupPeriod	UNIONSEMIUnion Semiconductor, Inc. 英联英联半导体股份有限公司	UNIONSEMI
UM821ZCE	文件：414.89 Kbytes Page：17 Pages	ResetCircuitswithLongManualResetSetupPeriod	UNIONSEMIUnion Semiconductor, Inc. 英联英联半导体股份有限公司	UNIONSEMI
UPA821	文件：64.47 Kbytes Page：12 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTWINTRANSISTORWITHBUILT-IN2x2SC5006FLAT-LEAD6-PINTHIN-TYPEULTRASUPERMINIMOLD DESCRIPTION TheµPA821TChasbuilt-inlow-voltagetwotransistorswhicharedesignedforlow-noiseamplificationintheVHFtoUHFband. FEATURES •Lownoise:NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Highgain:IS21el2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Flat-lead6-pi	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA821TC	文件：64.47 Kbytes Page：12 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTWINTRANSISTORWITHBUILT-IN2x2SC5006FLAT-LEAD6-PINTHIN-TYPEULTRASUPERMINIMOLD DESCRIPTION TheµPA821TChasbuilt-inlow-voltagetwotransistorswhicharedesignedforlow-noiseamplificationintheVHFtoUHFband. FEATURES •Lownoise:NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Highgain:IS21el2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Flat-lead6-pi	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA821TF	文件：225.22 Kbytes Page：18 Pages	SILICONTRANSISTOR HIGH-FREQUENCYLOW-NOISEAMPLIFIER NPNSILICONEPITAXIALTWINTRANSISTOR (WITHBUILT-IN6-PIN2u2SC4226)THIN-TYPESMALLMINIMOLD FEATURES •Low-noise NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Highgain IS21el2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •6-pinthin-typesmall	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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