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CD4073BPW

CMOSANDGates

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

CD4073BPW

CMOSANDGATES

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

CD4073BPWR

CMOSANDGATES

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

CD4073BPWR

CMOSANDGates

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

CD4073BPWR

CMOSANDGates

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

CEM4073

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -40V,-13.6A,RDS(ON)=8.4mW@VGS=-10V. RDS(ON)=12mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

HCC4073B

RadHardenedhighvoltagecomplementaryMOSlogicseries

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

HCC4073B

ANDGATES

DESCRIPTION TheHCC4073B,HCC4081BandHCC4082B(extendedtemperaturerange)andtheHCF4073B,HCF4081BandHCF4082B(intermediatetemperaturerange)aremonolithicintegratedcircuitsavail-ablein14-leaddualin-lineplasticorceramicpackageandplasticmicropackage. 4073BTRIPLE3–INPUTANDGAT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

HCC4073B

Rad-hard,highvoltage,CMOSlogicseries

Features •ESCCqualified •18VAbsolutemaximumratings •3Vto15Voperatingvoltage •Hermeticpackages •Rad-hard100krad(Si)TID •SELimmuneupto119MeV.cm²/mg •SEUimmuneupto119MeV.cm²/mg •-55°Cto+125°Ctemperaturerange •ESCCspecificationavailableonESCCwebsi

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

HCC4073BD

Rad-hardhighvoltageCMOSlogicseries

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

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更多TM4073B供应商 更新时间2025-5-25 10:20:00