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BX3115	文件：63.5 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
BXF3115PM	文件：64.849 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
C3115	文件：58.94 Kbytes Page：1 Pages	COMMUNICATIONANDCONTROLCABLE 2C22AWG(7/32)TCPVC,UNSH,PVCCOMMUNICATIONANDCONTROLCABLE	GENERALGeneral Cable Technologies Corporation 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
CC3115C-AZ	文件：127.87 Kbytes Page：3 Pages	3-phase3-line500VACAvailable5-150AForoutputlineonly	SOSHINSoshin electric Co., Ltd. 双信电机双信电机株式会社	SOSHIN
CEC3115	文件：440.47 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-36A,RDS(ON)=12mW@VGS=-10V. RDS(ON)=16mW@VGS=-4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM3115	文件：388.77 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-12A,RDS(ON)=12mW@VGS=-10V. RDS(ON)=16mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CPH3115	文件：634.46 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistor(-)30V,(-)1.5A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleCPH3 Features •AdoptionofMBITprocesses •Largecurrentcapacity •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •High-speedswitching •Ultrasmallpackagefacilitatesminiaturizationinendproducts(mountingheight:0.9mm) •Highallowablepowerdissipation •Halogenfreecompliance Applic	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CPH3115	文件：54.66 Kbytes Page：5 Pages	DC/DCConverterApplications DC/DCConverterApplications Features •AdoptionofMBITprocesses. •Largecurrentcapacitance. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •High-speedswitching. •Ultrasmall-sizedpackagepermittingappliedsetstobemadesmallandslim(mountingheight:0.9mm). •Highallowablepo	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
CPH3115-TL-E	文件：634.46 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistor(-)30V,(-)1.5A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleCPH3 Features •AdoptionofMBITprocesses •Largecurrentcapacity •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •High-speedswitching •Ultrasmallpackagefacilitatesminiaturizationinendproducts(mountingheight:0.9mm) •Highallowablepowerdissipation •Halogenfreecompliance Applic	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CPH3115-TL-H	文件：634.46 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistor(-)30V,(-)1.5A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleCPH3 Features •AdoptionofMBITprocesses •Largecurrentcapacity •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •High-speedswitching •Ultrasmallpackagefacilitatesminiaturizationinendproducts(mountingheight:0.9mm) •Highallowablepowerdissipation •Halogenfreecompliance Applic	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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