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TZ2721B	文件：225.13 Kbytes Page：8 Pages	CrystalUnitSMD1.6x1.237.4MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage MoistureSensitivityLevel(MSL):Level-1 DescriptionandApplications: Surfacemount1.6mmx1.2mmcrystalunitforuseinwireless	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
UPA2721AGR	文件：271.54 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2721AGRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofanotebookcomputer. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=10mΩMAX.(VGS=5.0V,ID=10A) •Lowinputcapacitance C	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2721GR	文件：280.25 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2721GRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=6.3mΩMAX.(VGS=4.5V,	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2721	文件：90.01 Kbytes Page：12 Pages	GENERALPURPOSEL-BANDDOWNCONVERTERICs [NEC] SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2721GR	文件：47.58 Kbytes Page：6 Pages	SILICONMMICLBANDDOWNCONVERTER DESCRIPTION TheµPC2721/2722areSiliconmonolithicICsdesignedforL-banddownconverter.TheseICsconsistofdoublebalancedmixer,localoscillator,localoscillationbufferamplifier,IFamplifier,andvoltageregulator. Thepackagesare8pinSOPorSSOPsuitableforhigh-densitysurf	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2721GV	文件：258.089 Kbytes Page：6 Pages	SILICONMMICLBANDDOWNCONVERTER	CEL California Eastern Labs	CEL
UPC2721GV	文件：50.03 Kbytes Page：5 Pages	SILICONMMICLBANDDOWNCONVERTER DESCRIPTION TheµPC2721/2722areSiliconmonolithicICsdesignedforL-banddownconverter.TheseICsconsistofdoublebalancedmixer,localoscillator,localoscillationbufferamplifier,IFamplifier,andvoltageregulator. Thepackagesare8pinSOPorSSOPsuitableforhigh-densitysurf	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
TLV2721CDBVR
功能描述：
运算放大器 - 运放 LP R/R
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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