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EVAL-ADXL359Z	文件：1.63221 Mbytes Page：36 Pages	LowNoise,LowDrift,LowPower3-AxisMEMSAccelerometer GENERALDESCRIPTION ThedigitaloutputADXL3591isalownoisedensity,low0goffset drift,lowpower,3-axismicroelectromechanicalsystem(MEMS) accelerometerwithselectablemeasurementranges.TheADXL359 supportsthe±10g,±20g,and±40granges. TheADXL359offersindustryleadingn	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
EXB359	文件：49.66 Kbytes Page：3 Pages	FUJIBASEDRIVEMODULE	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
F-359XP	文件：172.34 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSFORMERPCMountDualPrimary	TRIAD TRIAD MAGNETICS	TRIAD
FDN359	文件：264.85 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelPowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductorsadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thesedevicesarewellsuitedforlowvoltageandbatte	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDN359A	文件：415.88 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET Features VDS(V)=27V RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
FDN359A	文件：327.67 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproduced usingadvancedPowerTrenchprocessthathasbeen especiallytailoredtominimizeon-stateresistance andyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thesedevicesarewellsuitedforlowvoltageand batterypoweredapplicatio	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
FDN359AN	文件：264.85 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelPowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductorsadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thesedevicesarewellsuitedforlowvoltageandbatte	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDN359AN	文件：415.88 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET Features VDS(V)=27V RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
FDN359AN	文件：327.67 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproduced usingadvancedPowerTrenchprocessthathasbeen especiallytailoredtominimizeon-stateresistance andyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thesedevicesarewellsuitedforlowvoltageand batterypoweredapplicatio	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
FDN359B	文件：423.52 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET Features VDS(V)=30V RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW

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详细参数

型号：
TLR359T
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
LED DISPLAY

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TLR359T供应商更新时间2025-7-12 13:30:00

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