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4279	文件：93.07 Kbytes Page：1 Pages	NylonKayakClips	HeycoHeyco. 海科	Heyco
4279	文件：35.16 Kbytes Page：1 Pages	BantamPlugCableAssembly	POMONA Pomona Electronics	POMONA
4279N	文件：35.16 Kbytes Page：1 Pages	BantamPlugCableAssembly	POMONA Pomona Electronics	POMONA
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CED4279	文件：800.6 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES 40V,14A,RDS(ON)=32mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-252-4Lpackage. RDS(ON)=46mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired. -40V,-9A,RDS(ON)=72mW@VGS=10V. RDS(ON)=110mW@VGS=4.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
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CEM4279	文件：493.84 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES ■40V,6.1A,RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=46mΩ@VGS=4.5V. ■-40V,-4.3A,RDS(ON)=66mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=105mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapabil	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU4279	文件：685.37 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES ■40V,14A,RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=46mΩ@VGS=4.5V. ■-40V,-9A,RDS(ON)=72mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=110mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapabil	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
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LTC4279	文件：931.08 Kbytes Page：22 Pages	IEEE802.3btPDwithTelemetryandPowerPriority FEATURES ►IEEE802.3btPoweredDevice(PD)Controller ►400kHzI2CInterface ►ContinuousVoltage,Current,andPowerTelemetry ►Dedicated14-BitDelta-SigmaCurrentandVoltageADCs ►AutomaticMaintainPowerSignature(MPS) ►SupportsUpto90WPDswithExtendedPower ►5-EventClassifi	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

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