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TUSB1310IZAYR	文件：357.02 Kbytes Page：36 Pages	USB3.0Transceiver	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TUSB1310IZAYR	文件：275.67 Kbytes Page：36 Pages	USB3.0TransceiverDataManual	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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TVA1310	文件：73.25 Kbytes Page：5 Pages	AluminumCapacitors85C,Miniature,AxialLead FEATURES •Lowleakagecurrent •Longshelflife •IdealforapplicationinTVsets,autoradios,radio-phonecombinations,electronictestingequipment •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VBA1310	文件：709.92 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBA1310S	文件：636 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistorwithSchottkyDiode GeneralDescription TheVBA1310Susesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),shoot-throughimmunityand bodydiodecharacteristics.Thisdeviceissuitablefor useasasynchronousswitchinPWMapplications. Theco-packagedSchottkyDiodeboostsefficiency further. Feat	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBA1310S	文件：686.44 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistorwithSchottkyDiode GeneralDescription TheVBA1310SusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),shoot-throughimmunityandbodydiodecharacteristics.ThisdeviceissuitableforuseasasynchronousswitchinPWMapplications.Theco-packagedSchottkyDiodeboostsefficiencyfurther. Features	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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更多TLDA1310A供应商更新时间2025-5-22 16:01:00

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