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TK20A25D	文件：295.87 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：295.87 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK20A25D	文件：238.35 Kbytes Page：9 Pages	Switching Voltage Regulators 文件：238.35 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK20A60U	文件：280.34 Kbytes Page：6 Pages	丝印：K20A60U；Switching Regulator Applications 文件：280.34 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK20A60U_V01	文件：280.34 Kbytes Page：6 Pages	Switching Regulator Applications 文件：280.34 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK20A60W	文件：288.94 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：288.94 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK20A60W5	文件：288.97 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：288.97 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK20A25D	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 150V VDSS 250V) Polarity：N-ch\nGeneration：π-MOSⅦ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：马来西亚 Drain current ID 20 A \nPower Dissipation PD 45 W \nDrain-Source voltage VDSS 250 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
TK20A60U	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Polarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅡ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中国 / 马来西亚 Drain current ID 20 A \nPower Dissipation PD 45 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
TK20A60W	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Polarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：马来西亚 Drain current ID 20 A \nPower Dissipation PD 45 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
250
VGSS(V)：
+/-20
ID(A)：
20
PD(W)：
45
Ciss(pF)：
2550
Qg(nC)：
55
=10V：
0.1
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name(Toshiba)：
TO-220SIS
Generation：
π-MOSⅦ
Width×Length×Height(mm)：
10.0 x 15.0 x 4.5
Package Size(mm^2)：
150.00
Drive voltage type：
10V Gate Drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TK20A供应商更新时间2025-12-9 15:55:00

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