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TK20A60W5	文件：239.33 Kbytes Page：10 Pages	丝印：K20A60W5；Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Fast reverse recovery time: trr = 110 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.15 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (3) Easy to control Gate switching (4) Enhancement mode: Vth = 3 to 4.5 V (VDS = 文件：239.33 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK20A60W5	文件：288.97 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：288.97 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK20A60W5	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Application Scope：Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：马来西亚 Drain current ID 20 A \nPower Dissipation PD 45 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
ITK20A60W5	文件：288.97 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：288.97 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
600
VGSS(V)：
+/-30
ID(A)：
20
PD(W)：
45
Ciss(pF)：
1800
Qg(nC)：
55
=10V：
0.175
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name(Toshiba)：
TO-220SIS
Generation：
DTMOSⅣ
Type：
High-speed diode
Width×Length×Height(mm)：
10.0 x 15.0 x 4.5
Package Size(mm^2)：
150.00
Drive voltage type：
10V Gate Drive

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