Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages

TOSHIBA

东芝

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：338.44 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：942.05 Kbytes 页数：3 Pages

DOINGTER

杜因特

Power MOSFET (N-ch single 60V VDSS 150V)

Application Scope：Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中国\n Drain current ID 18 A \nPower Dissipation PD 71 W \nDrain-Source voltage VDSS 100 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V \n;

Toshiba

东芝

Package：TO-220-3；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 描述：MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3

Toshiba Semiconductor and Storage