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TK18E10K3 | Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages | TOSHIBA 东芝 | TOSHIBA | |
TK18E10K3 | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.44 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
TK18E10K3 | N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：942.05 Kbytes 页数：3 Pages | DOINGTER 杜因特 | DOINGTER | |
Package：TO-220-3；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 描述：MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3 | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage |
详细参数
- 型号：
TK18E10K3
- 功能描述：
MOSFET N-Ch MOS 18A 100V 71W 0.042 Ohm
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
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