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TK18E10K3,S1X(S

Package:TO-220-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

ITK18E10K3

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:338.44 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

TK18E10K3

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

文件:1.58274 Mbytes 页数:73 Pages

TOSHIBA

东芝

TK18E10K3

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:942.05 Kbytes 页数:3 Pages

DOINGTER

杜因特

产品属性

  • 产品编号:

    TK18E10K3,S1X(S

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 系列:

    U-MOSIV

  • 包装:

    卷带(TR)

  • FET 类型:

    N 通道

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    18A(Ta)

  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):

    42 毫欧 @ 9A,10V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 描述:

    MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Toshiba Semiconductor and Stor
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更多TK18E10K3,S1X(S供应商 更新时间2025-12-6 15:01:00