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TK18E10K3中文资料Power MOSFET (N-ch single 60V VDSS 150V)数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

TK18E10K3

参数属性

TK18E10K3 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3

功能描述

Power MOSFET (N-ch single 60V VDSS 150V)

封装外壳

TO-220-3

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-11-25 21:33:00

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TK18E10K3规格书详情

描述 Description

Application Scope:Switching regulators
Polarity:N-ch
Generation:U-MOSⅣ
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:中国

特性 Features

Drain current ID 18 A
Power Dissipation PD 71 W
Drain-Source voltage VDSS 100 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V

技术参数

  • 产品编号:

    TK18E10K3,S1X(S

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 系列:

    U-MOSIV

  • 包装:

    卷带(TR)

  • FET 类型:

    N 通道

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    18A(Ta)

  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):

    42 毫欧 @ 9A,10V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 描述:

    MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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