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TK12E80W中文资料Power MOSFET (N-ch 700V VDSS)数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

TK12E80W

功能描述

Power MOSFET (N-ch 700V VDSS)

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-9-16 23:01:00

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TK12E80W规格书详情

描述 Description

Application Scope:Switching regulators
Polarity:N-ch
Generation:DTMOSⅣ
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:中国

特性 Features

Drain current ID 11.5 A
Power Dissipation PD 165 W
Drain-Source voltage VDSS 800 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V

技术参数

  • 制造商编号

    :TK12E80W

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Polarity

    :N-ch

  • VDSS(V)

    :800

  • VGSS(V)

    :+/-20

  • ID(A)

    :11.5

  • PD(W)

    :165

  • Ciss(pF)

    :1400

  • Qg(nC)

    :23

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V

    :0.45

  • Number of pins

    :3

  • Surface mount package

    :N

  • Package name(Toshiba)

    :TO-220

  • Generation

    :DTMOSⅣ

  • Width×Length×Height(mm)

    :10.16 x 15.1 x 4.45

  • Package Size(mm^2)

    :153.42

  • Drive voltage type

    :10V Gate Drive

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