TK12E80W中文资料Power MOSFET (N-ch 700V VDSS)数据手册Toshiba规格书
TK12E80W规格书详情
描述 Description
Application Scope:Switching regulators
Polarity:N-ch
Generation:DTMOSⅣ
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:中国
特性 Features
Drain current ID 11.5 A
Power Dissipation PD 165 W
Drain-Source voltage VDSS 800 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V
技术参数
- 制造商编号
:TK12E80W
- 生产厂家
:Toshiba
- Polarity
:N-ch
- VDSS(V)
:800
- VGSS(V)
:+/-20
- ID(A)
:11.5
- PD(W)
:165
- Ciss(pF)
:1400
- Qg(nC)
:23
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
:0.45
- Number of pins
:3
- Surface mount package
:N
- Package name(Toshiba)
:TO-220
- Generation
:DTMOSⅣ
- Width×Length×Height(mm)
:10.16 x 15.1 x 4.45
- Package Size(mm^2)
:153.42
- Drive voltage type
:10V Gate Drive
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
13150 |
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TOSHIBA |
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TO3P |
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TOSHIBA/东芝 |
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TO220 |
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TOSHIBA/东芝 |
24+ |
TO-220 |
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Original 元件 |
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TOS |
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TOSHIBA |
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TO-220 |
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TOSHIBA/东芝 |
22+ |
TO3P |
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