TK10E60W中文资料Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V)数据手册Toshiba规格书
TK10E60W规格书详情
描述 Description
Polarity：N-ch
Generation：DTMOSⅣ
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：中国
特性 Features
Drain current ID 9.7 A
Power Dissipation PD 100 W
Drain-Source voltage VDSS 600 V
Gate-Source voltage VGSS +/-30 V
技术参数
- 制造商编号
：TK10E60W
- 生产厂家
：Toshiba
- Polarity
：N-ch
- VDSS(V)
：600
- VGSS(V)
：+/-30
- ID(A)
：9.7
- PD(W)
：100
- Ciss(pF)
：700
- Qg(nC)
：20
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
：0.38
- Number of pins
：3
- Surface mount package
：N
- Package name(Toshiba)
：TO-220
- Generation
：DTMOSⅣ
- Width×Length×Height(mm)
：10.16 x 15.1 x 4.45
- Package Size(mm^2)
：153.42
- Drive voltage type
：10V Gate Drive
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