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TK10A80E数据手册Toshiba中文资料规格书

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厂商型号

TK10A80E

功能描述

Power MOSFET (N-ch 700V VDSS)

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-7 12:07:00

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TK10A80E规格书详情

描述 Description

Application Scope:Switching regulators
Polarity:N-ch
Generation:π-MOSⅧ
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:中国

特性 Features

Drain current ID 10 A
Power Dissipation PD 50 W
Drain-Source voltage VDSS 800 V
Gate-Source voltage VGSS +/-30 V

技术参数

  • 制造商编号

    :TK10A80E

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Polarity

    :N-ch

  • VDSS(V)

    :800

  • VGSS(V)

    :+/-30

  • ID(A)

    :10

  • PD(W)

    :50

  • Ciss(pF)

    :2000

  • Qg(nC)

    :46

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V

    :1.0

  • Number of pins

    :3

  • Surface mount package

    :N

  • Package name(Toshiba)

    :TO-220SIS

  • Generation

    :π-MOSⅧ

  • Width×Length×Height(mm)

    :10.0 x 15.0 x 4.5

  • Package Size(mm^2)

    :150.00

  • Drive voltage type

    :10V Gate Drive

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