TK10A80E中文资料Power MOSFET (N-ch 700V VDSS)数据手册Toshiba规格书
TK10A80E规格书详情
描述 Description
Application Scope：Switching regulators
Polarity：N-ch
Generation：π-MOSⅧ
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：中国
特性 Features
Drain current ID 10 A
Power Dissipation PD 50 W
Drain-Source voltage VDSS 800 V
Gate-Source voltage VGSS +/-30 V
技术参数
- 制造商编号
：TK10A80E
- 生产厂家
：Toshiba
- Polarity
：N-ch
- VDSS(V)
：800
- VGSS(V)
：+/-30
- ID(A)
：10
- PD(W)
：50
- Ciss(pF)
：2000
- Qg(nC)
：46
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
：1.0
- Number of pins
：3
- Surface mount package
：N
- Package name(Toshiba)
：TO-220SIS
- Generation
：π-MOSⅧ
- Width×Length×Height(mm)
：10.0 x 15.0 x 4.5
- Package Size(mm^2)
：150.00
- Drive voltage type
：10V Gate Drive
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