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TK10E60W

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=9.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.38Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

TK10E60W

MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS??

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

V10E60P

Reducedfootprintandvolumerequiredforsurgeprotection

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

详细参数

  • 型号:

    TK10E60W

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全称:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    Switching Voltage Regulators

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更多TK10E60W供应商 更新时间2025-7-26 17:26:00