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TK10E60W	文件：319.96 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=9.7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.38Ω(Max) DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：319.96 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK10E60W	文件：256.7 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS?? 文件：256.7 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK10E60W	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Polarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中国 Drain current ID 9.7 A \nPower Dissipation PD 100 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
V10E60P	文件：1.71269 Mbytes Page：12 Pages	Reduced footprint and volume required for surge protection 文件：1.71269 Mbytes 页数：12 Pages	Littelfuse 力特	Littelfuse

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更多TK10E60W供应商更新时间2025-12-1 9:03:00