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TK100F06K3	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK100F06K3	文件：223.77 Kbytes Page：7 Pages	SwichingRegulator,DC-DCConverterApplicationsMotorDrineApplications SwichingRegulator,DC-DCConverterApplications MotorDriveApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=4.0mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=174S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=60V) •Enhancement-model:Vth=3.0to4.0	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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TK100F06K3

文件：1.58274 Mbytes

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BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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SwichingRegulator,DC-DCConverterApplicationsMotorDrineApplications

SwichingRegulator,DC-DCConverterApplications MotorDriveApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=4.0mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=174S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=60V) •Enhancement-model:Vth=3.0to4.0

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

详细参数

型号：
TK100F06K3(TE24L,Q
功能描述：
MOSFET N-ch 60V 100A TO-220SM(W)
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市得捷芯城科技有限公司	TK100F06K3(TE24L,Q	TOSHIBA/东芝	24+	NA/	3350	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
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更多TK100F06K3(TE24L,Q供应商更新时间2025-5-23 11:00:00

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