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TIPL760B

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

NPN SILICON POWER TRANSISTORS ● Rugged Triple-Diffused Planar Construction ● 4 A Continuous Collector Current ● Operating Characteristics Fully Guaranteed at 100°C ● 1200 Volt Blocking Capability ● 75 W at 25°C Case Temperature

文件:161.34 Kbytes 页数:7 Pages

POINN

TIPL760B

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

文件:140.35 Kbytes 页数:5 Pages

BOURNS

伯恩斯

TIPL760B

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

Power Innovations

TIPL760B-S

TRANS NPN 1100V 4A

Bourns

伯恩斯

TIPL760B-S

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 1100V 4A TO220

Bourns Inc.

Bourns Inc.

详细参数

  • 型号:

    TIPL760B

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT 1100V 4A NPN

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
BOURNSINC
22+
TO-220
6000
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Bourns Inc.
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更多TIPL760B供应商 更新时间2026-1-19 14:03:00