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TIPL760B-S

TRANS NPN 1100V 4A

Bourns

伯恩斯

TIPL760B-S

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 1100V 4A TO220

Bourns Inc.

Bourns Inc.

TIPL760C

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

NPN SILICON POWER TRANSISTORS ● Rugged Triple-Diffused Planar Construction ● 4 A Continuous Collector Current ● Operating Characteristics Fully Guaranteed at 100°C ● 1200 Volt Blocking Capability ● 75 W at 25°C Case Temperature

文件:161.34 Kbytes 页数:7 Pages

POINN

TIPL760C

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

文件:140.35 Kbytes 页数:5 Pages

BOURNS

伯恩斯

TIPL760C

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • Rugged Triple-duffused planar construction FEATURES • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO = 550V(Min.) • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

文件:367 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

产品属性

  • 产品编号:

    TIPL760B-S

  • 制造商:

    Bourns Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 400mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 500mA,5V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN 1100V 4A TO220

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
BOURNSINC
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更多TIPL760B-S供应商 更新时间2026-1-24 14:02:00