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TIPL760C	文件：367 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Rugged Triple-duffused planar construction FEATURES • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO = 550V(Min.) • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation 文件：367 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TIPL760C	文件：161.34 Kbytes Page：7 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTORS NPN SILICON POWER TRANSISTORS ● Rugged Triple-Diffused Planar Construction ● 4 A Continuous Collector Current ● Operating Characteristics Fully Guaranteed at 100°C ● 1200 Volt Blocking Capability ● 75 W at 25°C Case Temperature 文件：161.34 Kbytes 页数：7 Pages	POINN	POINN
TIPL760C	文件：140.35 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTORS 文件：140.35 Kbytes 页数：5 Pages	BOURNS 伯恩斯	BOURNS
TIPL760C-S	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANS NPN DARL 550V 4A TO220	Bourns 伯恩斯	Bourns
TIPL760C-S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 550V 4A TO220	Bourns Inc.	Bourns Inc.

更多TIPL760C供应商更新时间2026-4-19 11:00:00