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ZTX605	文件：311.63 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=120V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=1A APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,highspeedswitchingand regulatedpowersupplyapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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ZTX605

文件：311.63 Kbytes

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SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=120V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=1A APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,highspeedswitchingand regulatedpowersupplyapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

ZTX605

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NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWER

FEATURES *120VoltVCEO *1Ampcontinuouscurrent *Gainof2KatIC=1Amp *Ptot=1Watt

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES

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Zetex Semiconductors

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更多TIP605-DOC供应商更新时间2025-7-15 16:01:00

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