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TIP36C_01	文件：295.16 Kbytes Page：2 Pages	TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR 文件：295.16 Kbytes 页数：2 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
TIP36C_15	文件：306.45 Kbytes Page：2 Pages	TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR 文件：306.45 Kbytes 页数：2 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
TIP36C_15	文件：176.05 Kbytes Page：4 Pages	HIGH POWER TRANSISTORS 文件：176.05 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
TIP36CA_15	文件：445.98 Kbytes Page：2 Pages	TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR 文件：445.98 Kbytes 页数：2 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
TIP36CF	文件：155.31 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor 文件：155.31 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TIP36CG	文件：86.13 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon High?뭁ower Transistors 文件：86.13 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
TIP36CG	文件：137.24 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Silicon High-Power Transistors 文件：137.24 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
TIP36CL-X-T3N-T	文件：176.05 Kbytes Page：4 Pages	HIGH POWER TRANSISTORS 文件：176.05 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
TIP36CL-X-T3P-T	文件：176.05 Kbytes Page：4 Pages	HIGH POWER TRANSISTORS 文件：176.05 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
TIP36C	文件：300 bytes Page：1 Pages	25 A，100 V，PNP 双极功率晶体管 The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power amplifier and switching applications. The TIP35A, TIP35B, TIP35C (NPN); TIP36A, TIP36B, TIP36C (PNP) are complementary devices. • 25 A Collector Current\n• Low Leakage Current ICEO = 1.0 mA @ 30 and 60 V\n• Excellent DC Gain hFE = 40 Typ @ 15 A\n• High Current Gain Bandwidth Product-\n• Pb-Free Packages are Available;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
TIP36C
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
4V @ 5A，25A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 15A，4V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-218-3
供应商器件封装：
SOT-93
描述：
TRANS PNP 100V 25A SOT93

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