TIP36C中文资料25 A，100 V，PNP 双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
TIP36C三极管、TIP36C晶体管、TIP36C晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
100V
- 最大电流允许值：
25A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
125W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-62
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
25
- wtest：
125
TIP36C规格书详情
描述 Description
The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power amplifier and switching applications. The TIP35A, TIP35B, TIP35C (NPN); TIP36A, TIP36B, TIP36C (PNP) are complementary devices.
特性 Features
• 25 A Collector Current
• Low Leakage Current ICEO = 1.0 mA @ 30 and 60 V
• Excellent DC Gain hFE = 40 Typ @ 15 A
• High Current Gain Bandwidth Product-
• Pb-Free Packages are Available
简介
TIP36C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由ONSEMI制造生产的TIP36C晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：TIP36C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Polarity
：PNP
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：4
- IC Cont. (A)
：25
- VCEO Min (V)
：100
- VCBO (V)
：100
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：-
- VBE(on) (V)
：4
- hFE Min
：15
- hFE Max
：75
- fT Min (MHz)
：3
- PTM Max (W)
：125
- Package Type
：TO-247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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