TIP36C中文资料25 A,100 V,PNP 双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
TIP36C三极管、TIP36C晶体管、TIP36C晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-PNP
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
100V
- 最大电流允许值:
25A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
- 最大耗散功率:
125W
- 放大倍数:
- 图片代号:
B-62
- vtest:
100
- htest:
999900
- atest:
25
- wtest:
125
TIP36C规格书详情
描述 Description
The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power amplifier and switching applications. The TIP35A, TIP35B, TIP35C (NPN); TIP36A, TIP36B, TIP36C (PNP) are complementary devices.
特性 Features
• 25 A Collector Current
• Low Leakage Current ICEO = 1.0 mA @ 30 and 60 V
• Excellent DC Gain hFE = 40 Typ @ 15 A
• High Current Gain Bandwidth Product-
• Pb-Free Packages are Available
简介
TIP36C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由ONSEMI制造生产的TIP36C晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:TIP36C
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Polarity
:PNP
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:4
- IC Cont. (A)
:25
- VCEO Min (V)
:100
- VCBO (V)
:100
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:-
- VBE(on) (V)
:4
- hFE Min
:15
- hFE Max
:75
- fT Min (MHz)
:3
- PTM Max (W)
:125
- Package Type
:TO-247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-247-3 |
6000 |
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询价 | ||
ST |
24+ |
TO-220 |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
询价 | ||
ST |
2025+ |
TO-247 |
3577 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
SO-8 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
26+ |
TO-247-3 |
60000 |
只有原装 可配单 |
询价 | ||
STMICROELECTRONICS |
19 |
询价 | |||||
ST/意法 |
22+ |
TO-3P |
30000 |
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询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
N/A |
5000 |
原装分货 强势渠道 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-247 |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-3P |
3500 |
原装现货,可开13%税票 |
询价 |


