TIP36C中文资料25 A,100 V,PNP 双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书
TIP36C规格书详情
描述 Description
The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power amplifier and switching applications. The TIP35A, TIP35B, TIP35C (NPN); TIP36A, TIP36B, TIP36C (PNP) are complementary devices.
特性 Features
• 25 A Collector Current
• Low Leakage Current ICEO = 1.0 mA @ 30 and 60 V
• Excellent DC Gain hFE = 40 Typ @ 15 A
• High Current Gain Bandwidth Product-
• Pb-Free Packages are Available
简介
TIP36C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的TIP36C晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:TIP36C
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Polarity
:PNP
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:4
- IC Cont. (A)
:25
- VCEO Min (V)
:100
- VCBO (V)
:100
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:-
- VBE(on) (V)
:4
- hFE Min
:15
- hFE Max
:75
- fT Min (MHz)
:3
- PTM Max (W)
:125
- Package Type
:TO-247
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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