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TIP35CW中文资料互补功率晶体管数据手册ST规格书

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厂商型号

TIP35CW

参数属性

TIP35CW 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 25A TO247-3

功能描述

互补功率晶体管
TRANS NPN 100V 25A TO247-3

封装外壳

TO-247-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2026-1-31 20:00:00

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TIP35CW规格书详情

描述 Description

The devices are manufactured in planar technology with “base island” layout. The resulting transistors show exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.

特性 Features

• Low collector-emitter saturation voltage
• Complementary NPN - PNP transistors

简介

TIP35CW属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由ST制造生产的TIP35CW晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :TIP35CW

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-247

  • Grade

    :Industrial

  • Transistor Polarity

    :NPN

  • Collector-Emitter Voltage_nom(V)

    :100

  • Collector-Emitter Voltage_max(V)

    :100

  • Collector-Base Voltage_max(V)

    :100

  • Collector Current_max(A)

    :25

  • Collector Current_abs_max(A)

    :25

  • Dc Current Gain_min

    :15

  • Dc Current Gain_max

    :75

  • Test Condition for hFE (IC)

    :15

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

    :4

  • VCE(sat)_max(V)

    :1.8

  • Test Condition for VCE(sat) - IC

    :15

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

    :1500

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