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TIP35C数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

TIP35C

参数属性

TIP35C 封装/外壳为TO-218-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 25A SOT93

功能描述

25 A,100 V,NPN 双极功率晶体管
TRANS NPN 100V 25A SOT93

封装外壳

TO-218-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-13 23:01:00

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TIP35C规格书详情

描述 Description

The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power amplifier and switching applications. The TIP35A, TIP35B, TIP35C (NPN); TIP36A, TIP36B, TIP36C (PNP) are complementary devices.

特性 Features

• 25 A Collector Current
• Low Leakage Current ICEO = 1.0 mA @ 30 and 60 V
• Excellent DC Gain hFE = 40 Typ @ 15 A
• High Current Gain Bandwidth Product-
• Pb-Free Packages are Available

简介

TIP35C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的TIP35C晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :TIP35C

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :4

  • IC Cont. (A)

    :25

  • VCEO Min (V)

    :100

  • VCBO (V)

    :100

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :4

  • hFE Min

    :15

  • hFE Max

    :75

  • fT Min (MHz)

    :3

  • PTM Max (W)

    :125

  • Package Type

    :TO-247

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