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TIP35A中文资料25 A,60 V,NPN 双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

TIP35A

参数属性

TIP35A 封装/外壳为TO-218-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 25A TO218

功能描述

25 A,60 V,NPN 双极功率晶体管

封装外壳

TO-218-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2026-3-29 13:38:00

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晶体管资料

  • 型号:

    TIP35A

  • 别名:

    TIP35A三极管、TIP35A晶体管、TIP35A晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    25A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    125W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-62

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    25

  • wtest:

    125

TIP35A规格书详情

描述 Description

The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power amplifier and switching applications. The TIP35A, TIP35B, TIP35C (NPN); TIP36A, TIP36B, TIP36C (PNP) are complementary devices.

特性 Features

• 25 A Collector Current
• Low Leakage Current ICEO = 1.0 mA @ 30 and 60 V
• Excellent DC Gain hFE = 40 Typ @ 15 A
• High Current Gain Bandwidth Product-
• Pb-Free Packages are Available

技术参数

  • 制造商编号

    :TIP35A

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :4

  • IC Cont. (A)

    :25

  • VCEO Min (V)

    :60

  • VCBO (V)

    :60

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :4

  • hFE Min

    :15

  • hFE Max

    :75

  • fT Min (MHz)

    :3

  • PTM Max (W)

    :125

  • Package Type

    :TO-247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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