TIP35C数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
TIP35C规格书详情
描述 Description
The devices are manufactured in epitaxial-base planar technology and are suitable for power linear and switching applications.
特性 Features
• Low collector-emitter saturation voltage
• Complementary NPN - PNP transistors
简介
TIP35C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的TIP35C晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：TIP35C
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-247
- Grade
：Industrial
- Transistor Polarity
：NPN
- Collector-Emitter Voltage_nom(V)
：100
- Collector-Emitter Voltage_max(V)
：100
- Collector-Base Voltage_max(V)
：100
- Collector Current_max(A)
：25
- Collector Current_abs_max(A)
：25
- Dc Current Gain_min
：15
- Dc Current Gain_max
：75
- Test Condition for hFE (IC)
：15
- Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)
：4
- VCE(sat)_max(V)
：1.8
- Test Condition for VCE(sat) - IC
：15
- Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)
：1500
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
TO-3P |
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24+ |
TO-247-3 |
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ST |
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TO-3P |
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