TIP33C分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
TIP33C |
| 参数属性 | TIP33C 封装/外壳为TO-218-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 100V 10A SOT93 |
| 功能描述 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| 封装外壳 | TO-218-3 |
| 文件大小 |
102.85 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-21 23:00:00 |
| 人工找货 | TIP33C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
TIP33C规格书详情
TIP33C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体制造生产的TIP33C晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
Complementary Silicon High-Power Transistors
. . . for general–purpose power amplifier and switching applications.
• 10 A Collector Current
• Low Leakage Current — ICEO = 0.7 mA @ 60 V
• Excellent dc Gain — hFE = 40 Typ @ 3.0 A
• High Current Gain Bandwidth Product — hfe = 3.0 min @ IC = 0.5 A, f = 1.0 MHz
产品属性
更多- 产品编号：
TIP33C
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
4V @ 2.5A，10A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
700µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 3A，4V
- 频率 - 跃迁：
3MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-218-3
- 供应商器件封装：
SOT-93
- 描述：
TRANS NPN 100V 10A SOT93
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
16449 |
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询价 | ||
onsemi(安森美) |
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TO218 |
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ST/FSC/ON |
25+ |
TO-3P |
45000 |
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ONSEMICON |
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ST |
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ST |
25+ |
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