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TIP31AG	文件：85.8 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors Designed for use in general purpose amplifier and switching applications. Features • Collector−Emitter Saturation Voltage − VCE(sat) = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc • Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 40 Vdc (Min) − TIP31, TIP32 = 60 Vdc (Min) − TI 文件：85.8 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
TIP31AG	文件：123.98 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors Designed for use in general purpose amplifier and switching applications. Features • Collector−Emitter Saturation Voltage − VCE(sat) = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc • Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 40 Vdc (Min) − TIP31, TIP32 = 60 Vdc (Min) − TI 文件：123.98 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
TIP31ANPN	文件：321.89 Kbytes Page：4 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS Complementary Silicon Transistors intended for a wide variety of Switching and Amplifier Applications, Series and Shunt Regulators, Driver and Output stages of Hi-Fi Amplifiers 文件：321.89 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
TIP31B	文件：36.86 Kbytes Page：2 Pages	Si-Epitaxial PlanarTransistors 文件：36.86 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC
TIP31B	文件：190.48 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistors Features • The Complementary PNP Types are the TIP32 Respectively • Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix -HF • Moisture Sensitivity Level 1 • Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating • Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) (P Suffix Designates RoHS Compliant. See Orderi 文件：190.48 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
TIP31B	文件：532.63 Kbytes Page：5 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • Medium Power Linear Switching Applications • Complementary to TIP32 Series 文件：532.63 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
TIP31B	文件：196.67 Kbytes Page：6 Pages	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON Designed for use in general purpose amplifier and switching applications. Features • Collector−Emitter Saturation Voltage − VCE(sat) = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc • Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 40 Vdc (Min) − TIP31, TIP32 = 60 Vdc (Min) − TI 文件：196.67 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
TIP31B	文件：220.65 Kbytes Page：6 Pages	NPN (MEDIUM POWER LINEAR SWITCHING APPLICATIONS) Medium Power Linear Switching Applications. • Complement to TIP32 / TIP32A / TIP32B / TIP32C 文件：220.65 Kbytes 页数：6 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
TIP31B	文件：25.87 Kbytes Page：2 Pages	General Purpose Amplifier and Switching Applications TIP31, 31A, 31B, 31C NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS TIP32, 32A, 32B, 32C PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS 文件：25.87 Kbytes 页数：2 Pages	BOCA 博卡	BOCA
TIP31B	文件：321.89 Kbytes Page：4 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS Complementary Silicon Transistors intended for a wide variety of Switching and Amplifier Applications, Series and Shunt Regulators, Driver and Output stages of Hi-Fi Amplifiers 文件：321.89 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL

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晶体管资料

型号：
TIP31
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
45
htest：
999900
atest：
3
wtest：
40

产品属性

产品编号：
TIP31
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 375mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
300µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 3A，4V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN 40V 3A TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	TIP31	FAIRCHILD	24+	TO-220	8866		询价
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瀚佳科技(深圳)有限公司	TIP31	ST/意法	24+		65230		询价

更多TIP31供应商更新时间2026-10-23 15:30:00

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