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TIP30C数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

TIP30C

参数属性

TIP30C 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 100V 1A TO220-3

功能描述

1.0 A,100 V,PNP 双极功率晶体管
TRANS PNP 100V 1A TO220-3

封装外壳

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-14 23:01:00

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TIP30C规格书详情

描述 Description

The Bipolar Power Transistor is designed for use in general purpose amplifier and switching applications. Compact TO-220 AB package. The TIP29, A, B, C (NPN); and TIP30, A, B, C (PNP) are complementary devices.

特性 Features

• Pb-Free Packages are Available

简介

TIP30C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的TIP30C晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :TIP30C

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.7

  • IC Cont. (A)

    :1

  • VCEO Min (V)

    :100

  • VCBO (V)

    :100

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :1.3

  • hFE Min

    :15

  • hFE Max

    :75

  • fT Min (MHz)

    :3

  • PTM Max (W)

    :30

  • Package Type

    :TO-220-3

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