TIP30B中文资料Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch数据手册Central规格书
| 厂商型号 |
TIP30B |
| 参数属性 | TIP30B 封装/外壳为TO-220-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 80V 1A TO220-3 |
| 功能描述 | Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | Central Central Semiconductor Corp |
| 中文名称 | 美国中央半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-30 23:00:00 |
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晶体管资料
- 型号：
- 别名：
TIP30B三极管、TIP30B晶体管、TIP30B晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
80V
- 最大电流允许值：
2A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
30W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-10
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
2
- wtest：
30
TIP30B规格书详情
简介
TIP30B属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由Central制造生产的TIP30B晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：TIP30B
- 生产厂家
：Central
- Case
：TO-220
- Configuration/ Description
：PNP General Purpose Amplifier/Switch
- Polarity
：PNP
- IC MAX
：1A
- PD MAX
：2W
- VCEO MAX
：80V
- hFE MIN
：15
- hFE MAX
：75
- @VCE
：4V
- VCE(SAT) MAX
：700mV
- @IC
：1A
- @IB
：125mA
- Cob TYP
：-
- Cob MAX
：-
- fT TYP
：-
- fT MIN
：3MHz
- NF MAX
：-
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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