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TIP30B中文资料Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch数据手册Central规格书

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厂商型号

TIP30B

参数属性

TIP30B 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 80V 1A TO220-3

功能描述

Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
TRANS PNP 80V 1A TO220-3

封装外壳

TO-220-3

制造商

Central Central Semiconductor Corp

中文名称

美国中央半导体

数据手册

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更新时间

2026-1-29 15:42:00

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晶体管资料

  • 型号:

    TIP30B

  • 别名:

    TIP30B三极管、TIP30B晶体管、TIP30B晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    2A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    30W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    2

  • wtest:

    30

TIP30B规格书详情

简介

TIP30B属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由Central制造生产的TIP30B晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :TIP30B

  • 生产厂家

    :Central

  • Case

    :TO-220

  • Configuration/ Description

    :PNP General Purpose Amplifier/Switch

  • Polarity

    :PNP

  • IC MAX

    :1A

  • PD MAX

    :2W

  • VCEO MAX

    :80V

  • hFE MIN

    :15

  • hFE MAX

    :75

  • @VCE

    :4V

  • VCE(SAT) MAX

    :700mV

  • @IC

    :1A

  • @IB

    :125mA

  • Cob TYP

    :-

  • Cob MAX

    :-

  • fT TYP

    :-

  • fT MIN

    :3MHz

  • NF MAX

    :-

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