TIP3055中文资料15 A,60 V,NPN 双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
TIP3055三极管、TIP3055晶体管、TIP3055晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
100V
- 最大电流允许值:
15A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BD246C,BD250C,3CK108D,
- 最大耗散功率:
90W
- 放大倍数:
- 图片代号:
B-71
- vtest:
100
- htest:
999900
- atest:
15
- wtest:
90
TIP3055规格书详情
描述 Description
The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose switching and amplifier applications. The TIP3055 (NPN); and TIP2955 (PNP) are complementary devices.
特性 Features
• DC Current Gain hFE = 20-70 @ IChFE = 4.0 Adc
• Collector-Emitter Saturation VoltageVCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ ICVCE(sat) = 4.0 Adc
• Excellent Safe Operating Area
• Pb-Free Packages are Available
简介
TIP3055属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由ONSEMI制造生产的TIP3055晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:TIP3055
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Polarity
:NPN
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:3
- IC Cont. (A)
:15
- VCEO Min (V)
:60
- VCBO (V)
:100
- VEBO (V)
:7
- VBE(sat) (V)
:-
- VBE(on) (V)
:1.8
- hFE Min
:20
- hFE Max
:70
- fT Min (MHz)
:2.5
- PTM Max (W)
:80
- Package Type
:TO-247
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