TIP29中文资料Complementary Silicon Plastic Power Transistors数据手册ONSEMI规格书

| 厂商型号 |
TIP29 |
| 参数属性 | TIP29 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 15A TO247-3 |
| 功能描述 | Complementary Silicon Plastic Power Transistors |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-24 20:00:00 |
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TIP29规格书详情
描述 Description
The Bipolar Power Transistor is designed for use in general purpose amplifier and switching applications. Compact TO-220 AB package. The TIP29, A, B, C (NPN); and TIP30, A, B, C (PNP) are complementary devices.
特性 Features
• Pb-Free Packages are Available
简介
TIP29属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由ONSEMI制造生产的TIP29晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:TIP29
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Polarity
:Complementary
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:0.7
- IC Cont. (A)
:1
- VCEO Min (V)
:-
- VCBO (V)
:-
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:-
- VBE(on) (V)
:1.3
- hFE Min
:15
- hFE Max
:75
- fT Min (MHz)
:3
- PTM Max (W)
:30
- Package Type
:TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3425 |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220 |
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TO-220 |
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ON/安森美 |
24+ |
TO-220(TO-220-3) |
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询价 | ||
ST |
25+ |
TO-220 |
30000 |
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询价 |

