TIP147T中文资料PNP外延硅达林顿晶体管数据手册ONSEMI规格书
TIP147T规格书详情
特性 Features
• 具有内置基极-发射极分流电阻的单片架构
•高DC电流增益：hFE=1000 @ VCE= -4 V, IC= -5 A（最小值）
•工业用途
•TIP140T/141T/142T的补充器件
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
TIP147T属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的TIP147T晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：TIP147T
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Polarity
：PNP
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：3
- IC Cont. (A)
：10
- VCEO Min (V)
：100
- VCBO (V)
：100
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：3.5
- VBE(on) (V)
：3
- hFE Min
：500
- hFE Max
：-
- fT Min (MHz)
：-
- PTM Max (W)
：80
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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