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TIP147分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

TIP147

参数属性

TIP147 封装/外壳为TO-247-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 100V 10A TO247-3

功能描述

DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
TRANS PNP DARL 100V 10A TO247-3

封装外壳

TO-247-3

文件大小

217.86 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-11 12:10:00

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TIP147规格书详情

TIP147属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体制造生产的TIP147晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

Darlington Complementary Silicon Power Transistors

Designed for general−purpose amplifier and low frequency switching applications.

特性 Features

• High DC Current Gain −

Min hFE = 1000 @ IC

= 5.0 A, VCE = 4 V

• Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 30 mA

VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) − TIP140, TIP145

= 80 Vdc (Min) − TIP141, TIP146

= 100 Vdc (Min) − TIP142, TIP147

• Monolithic Construction with Built−In Base−Emitter Shunt Resistor

• Pb−Free Packages are Available*

产品属性

更多
  • 产品编号:

    TIP147

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 40mA,10A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    2mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 5A,4V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 100V 10A TO247-3

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